6、關(guān)于晶體的濾波方式 請采用π型濾波方式,電容放在前面,注意其他地方也類似檢查
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具體設(shè)計(jì)要求請參考以下內(nèi)容:
. e# U: K0 Q9 C布局要求: 1、布局整體緊湊,一般放置在主控的同一側(cè),靠近主控IC。 2、布局是盡量使電容分支要短(目的:減小寄生電容,) 3、晶振電路一般采用π型濾波形式,放置在晶振的前面。 布線要求: 1)走線采取類差分走線; 2)晶體走線需加粗處理:8-12mil,晶振按照普通單端阻抗線走線即可; 3)對(duì)信號(hào)采取包地處理,每隔50mil放置一個(gè)屏蔽地過孔。 4)晶體晶振本體下方所有層原則上不準(zhǔn)許走線,特別是關(guān)鍵信號(hào)線。(晶體晶振為干擾源)。 5)不準(zhǔn)許出現(xiàn)stub線頭,防止天線效應(yīng),出現(xiàn)額外的干擾。 7、繼電器為干擾源,請本體下面挖空處理。并且,走線需要加粗處理。
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