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IEEE J-STQE更新 | 大型混合激光器陣列用于光電共封裝的熱擴(kuò)展性分析

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引言, r% Z9 \7 N; k, }; Q1 a! U
隨著數(shù)據(jù)中心流量持續(xù)呈指數(shù)級增長,對更高效的I/O鏈路的需求也在不斷增加。硅基光電子技術(shù)在開發(fā)光電共封裝收發(fā)器方面展現(xiàn)出巨大潛力,可以最大限度地縮短與網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)的物理距離并減少寄生損耗。硅基光電子收發(fā)器的一個(gè)關(guān)鍵組件是光源模塊,通常采用波分復(fù)用(WDM)架構(gòu)在不同波長上傳輸數(shù)據(jù)。
; a) V* j: q% s3 Y; o9 n( ~; K' z3 C, O1 j' b
開發(fā)用于這些應(yīng)用的多波長激光器陣列面臨幾個(gè)挑戰(zhàn),特別是在熱管理方面。隨著陣列中激光器數(shù)量的增加,熱串?dāng)_和模塊整體高溫問題變得更加顯著。本文將探討用于光電共封裝的大型混合激光器陣列的熱擴(kuò)展性分析,重點(diǎn)關(guān)注翻轉(zhuǎn)芯片鍵合的InP-on-Si激光器[1]。
5 L6 \( A" J5 T# {6 f$ U, t . b' o+ ?4 R3 K8 D. L% Z
# |8 [  d8 Q7 {0 z3 e/ b
激光器表征和建模1 y+ h/ d# n' y
為開始分析,首先需要對激光器進(jìn)行實(shí)驗(yàn)表征并開發(fā)精確的模型。本研究使用的激光器是尺寸為350x300x100 μm3的InP分布反饋(DFB)激光器,設(shè)計(jì)為在C波段工作,線寬小于1 MHz。2 }* `7 W% P8 M5 x
  ~7 t! c$ C" X6 ]/ |* s& u$ ~( b; j$ ]
圖1:顯示了測量的L-I-V曲線(光-電流-電壓)以及提取的激射效率和閾值電流隨溫度的變化。
4 C# i7 `3 W2 _$ N0 E. q  G% {
激光器的激射效率和閾值電流在不同溫度下進(jìn)行測量。如圖1所示,這兩個(gè)參數(shù)都表現(xiàn)出強(qiáng)烈的溫度依賴性。閾值電流隨溫度呈指數(shù)增加,而激射效率則呈指數(shù)下降。這些關(guān)系可以用以下方程描述:
2 ]! a) t# `/ I* V. V$ a
3 c2 H2 @& C8 Y$ ^; N& k# Y" }
  D& z4 J' Y! I& [- M& x" J
9 ~+ |% r& z3 u- ^7 h4 l: m其中I0和η0是擬合參數(shù),T0和T1是特征溫度。
$ B0 k  E& I9 l+ {8 V* F: a5 p' o& H5 E
熱阻是另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),決定了給定熱生成下激光器的工作溫度?梢酝ㄟ^以下方程實(shí)驗(yàn)確定:
- W+ F1 q" K5 S) W
5 `9 q4 U1 K- t  v' o. u( I( a/ H
# r% j/ b, f8 I3 _$ m: |/ q) ~( }: |) \1 K3 e) Y
其中λ是發(fā)射波長,T是溫度,P是輸入功率。+ ~3 P* P, X1 w3 h

' u8 r, O# O6 [$ Y
5 k5 ]% {; l7 E& b圖2:顯示了測量的激光器波長漂移與芯片溫度(左)和波長漂移與施加電功率(右)的關(guān)系。1 @- l0 ?: E: ^! @8 ?1 J
( m& \+ ?  h! _# l7 c
建模方法
! A. X4 [" x- j" t  v' ?為分析大型激光器陣列的熱行為,我們需要開發(fā)光學(xué)和熱學(xué)模型。光學(xué)模型描述了激光器輸出功率作為電流和溫度的函數(shù):
- n- W- X; Q5 X3 E" ~7 ^- A0 j6 M/ A7 N
4 S2 f1 p/ D  P8 f/ W* a' R) J

. y$ n; a. q+ S* p  W* A' N. V這個(gè)方程需要迭代求解,以考慮光功率和溫度之間的相互依賴關(guān)系。) N8 d# }: u" H2 X$ g6 [0 d8 g
: c; `* `: V# b; U5 `, t) \
對于熱建模,使用有限元分析來模擬激光器及周圍環(huán)境的溫度分布。模型包括激光器、載體芯片和鍵合結(jié)構(gòu)。
' e4 ~  K: @) w  l, W6 U
, u- }; j( T& Z+ z
4 f$ E0 @# F- b8 w+ C圖3:顯示了熱有限元模型的幾何結(jié)構(gòu)和計(jì)算網(wǎng)格。& k7 @: f% k+ A. u9 P: ~( ]. t
- N- I& J& a& l) n" V+ g) s0 i3 M2 ^
為高效地模擬大型激光器陣列,基于熱耦合剖面開發(fā)了一個(gè)緊湊的熱光模型。該模型區(qū)分了激光器內(nèi)部耦合(單個(gè)激光器芯片內(nèi)增益段之間的耦合)和激光器間耦合(獨(dú)立激光器芯片之間的耦合)。( T" f# `3 |2 ~, a) o

8 d/ ^! t& K) h3 x9 @) n5 G $ F; N. \6 }' s3 P  o' z
圖4:提供了混合激光器陣列的概念示意圖,突出顯示了激光器內(nèi)部和激光器間的熱耦合。
0 E) E; H0 _  i0 O/ [( Y- v: T
: |1 u2 W1 o, L& d% W$ W6 z4 b緊湊模型使用矩陣乘法計(jì)算陣列中的溫度:+ f8 {+ h' Q( H5 A

, D* T, I/ H3 B $ @- f; K$ T( g/ q+ c
4 e# I& M8 a8 j" O8 }4 D
其中T是溫度向量,P是熱生成向量,R是熱阻矩陣,C是熱耦合矩陣。$ A1 h  t* p. C# l7 Z1 z/ d  w

0 O- o6 E+ A7 ?) f, C6 d熱擴(kuò)展性分析, z# Q! z! L4 h, S/ {: ~7 U9 ?6 s
現(xiàn)在模型已經(jīng)就緒,可以分析各種因素如何影響激光器陣列的熱性能。
2 y# t) _$ V# ]- w" {: Z8 _
0 a7 C1 I4 t- v: `7 `1. 激光器寬度擴(kuò)展
- a7 Q  l. c! G: g隨著增加激光器芯片中的增益段數(shù)量,單位耗散熱量的熱阻會(huì)發(fā)生變化。
, @  _" p3 L, g7 ^; p
" F& A% N6 N/ B
' t) x& A4 W- U: h# [" Z( u圖5:顯示了激光器寬度從1個(gè)增益段增加到4個(gè)再到16個(gè)的有限元模擬結(jié)果。7 z6 F4 v3 A9 ~2 b" [% M) z
( c/ f- U" C9 z# E+ T3 N3 h8 T$ C2 ?
模擬結(jié)果顯示,隨著增益段數(shù)量的增加,由于增益段之間的激光器內(nèi)部熱耦合,最高溫度也隨之上升。
- ^# K0 m, h7 x/ L0 u( i# u
. o( J8 X% A1 c9 B8 n! l1 f: w2. 激光器長度擴(kuò)展1 B# f& R8 G( [& i+ o8 i/ h, r
增加激光器長度可能會(huì)產(chǎn)生不同的效果,這取決于如何擴(kuò)展功率密度。
! I$ P4 ?. V/ V) j% J
. Y: T6 @. Y6 R% K" n; |1 Z+ r5 h
% _" [8 T" h5 m/ J  i圖6:顯示了在總功率恒定和功率密度恒定條件下,有限元模擬的激光器熱阻隨長度的變化。
+ S+ a. }6 L: Q9 q) Q5 W" y; l! x" C7 u6 A8 b
如果保持總耗散熱量恒定,增加激光器長度會(huì)由于功率密度降低而減小熱阻(K/W)。然而,如果我們保持功率密度恒定(W/mm),以K-mm/W為單位的熱阻則保持相對恒定。1 d, x5 [1 O, k) U% A3 F( C

. P3 O- w& X( s. L" d* o3. 頂部冷卻
# i( X' e& [* y% f. G( X) R" ~, ~- `在激光器頂部添加散熱器可以顯著改善熱性能,特別是對于較大的激光器。
. Y+ \# |7 ]% T6 v5 l9 p" V! O; s/ i$ A
5 h- |; }& c7 Z
圖7:說明了頂部散熱器對激光器熱阻的影響,作為散熱器阻力和熱界面材料(TIM)阻力的函數(shù)。2 _2 @' |8 g4 {7 Y7 k# Q

) `% `6 n/ d0 Y$ y結(jié)果顯示,頂部冷卻對多增益段激光器的影響更為顯著。對于16增益段激光器,一個(gè)現(xiàn)實(shí)的TIM(RTIM = 50 mm2-K/W)和散熱器(Rhs = 1 K/W)可以將熱阻降低高達(dá)45%。* w/ ]! ]1 o" T4 P7 `0 `
( d# @; c4 Z! o, ~! ^2 N. K, t
案例研究:8 x 8 WDM光源9 P6 G7 q# i7 H# _; D8 i" t
為展示熱擴(kuò)展性分析的實(shí)際應(yīng)用,讓我們考慮用于光收發(fā)器的8 x 8 WDM光源案例研究。3 [  l) L0 X% n% B& X3 |

! j, Y5 R! e6 y8 Y* h 4 t+ y- G0 R% j/ c- U
圖8:顯示了WDM光源的示意圖,指出了波長通道數(shù)和物理端口數(shù)。
$ o5 Y* k. ]& R; A# [" ~' {$ _$ X# t! p/ Q/ A" N+ g. D/ U  n* f
該案例研究的規(guī)格包括:
. \: o% i- i; ?! P$ P3 Z. I2 F
  • 8個(gè)WDM通道(200 GHz網(wǎng)格)
  • 8個(gè)端口
  • 每個(gè)單元5.8 dBm波導(dǎo)耦合光功率
  • 2 dB邊緣耦合器損耗: Z+ s$ Z) H* [0 `" R

    " k% ?$ I% F+ j9 ]* r, u5 p/ ]使用熱光模型,可以分析各種配置以優(yōu)化功耗和占用面積。
    ; j( `& v( _9 h% v
    0 ]5 K* H8 ?4 `0 x  o' B. `
    4 T  A( ~' g. j& f! B" i圖9(a):顯示了8 x 8激光器陣列在500 μm和100 μm間距下的模擬熱阻。圖15(b)是25°C下集成激光器所有模擬設(shè)計(jì)的散點(diǎn)圖。
    ' c: Z* }+ c7 T8 D5 @3 @0 ]' @
    ! d" K/ e3 s; ]7 F3 X
    # y' q7 \  I+ W% L, q圖10:顯示了在各種條件下激光器陣列的模擬總電功耗,包括不同環(huán)境溫度、集成vs外部激光器以及每個(gè)激光器的增益段數(shù)。
    % \" l7 v3 Q3 Q0 u2 ^8 W$ j/ o, v8 n. q0 e
    該案例研究的主要發(fā)現(xiàn)包括:
  • 由于額外的光纖插入損耗,外部激光器的功耗是集成激光器的2-4倍。
  • 增加激光器長度通常會(huì)增加功耗,但允許更高的光功率供應(yīng)多個(gè)端口每增益段,可能減少激光器芯片總數(shù)。
  • 最小功耗的最佳配置在很大程度上取決于環(huán)境溫度和其他因素。
  • 在較高的環(huán)境溫度下,許多設(shè)計(jì)由于無法達(dá)到所需的光功率規(guī)格而變得不可行。
  • 激光器陣列的能量效率和占用面積之間存在明顯的權(quán)衡。
    & ^2 j9 x& E' E" S, U8 B[/ol]! C$ K( z5 s) M2 K( U, {

    ) }( A  V2 a5 f) }結(jié)論2 ~7 t1 Y; N, ?- \8 n: E
    熱管理對于開發(fā)用于光收發(fā)器的大規(guī)模、多波長激光器陣列極為重要。本文提出了全面的方法來分析混合InP-on-Si激光器的熱擴(kuò)展性,包括實(shí)驗(yàn)表征、詳細(xì)的熱學(xué)和光學(xué)建模,以及在實(shí)際場景中的應(yīng)用。' r3 J3 V8 H4 n9 p/ K/ E$ Z0 g8 x; i
      ]* @5 e7 g) v. I# @7 Q1 n
    本分析的主要結(jié)論包括:" A- ]: c# ~- A8 x, u
    1. 激光器熱阻與長度成反比,但由于熱串?dāng)_而隨寬度增加而增加。
    ! ]& n+ f' g6 [/ |" N; g- G& V2. 頂部冷卻可以顯著改善熱性能,特別是對于具有多個(gè)增益段的較大激光器。9 n- g! U1 T" v) U6 i
    3. 優(yōu)化激光器陣列設(shè)計(jì)需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素,包括環(huán)境溫度、集成方法(外部vs集成)以及功耗和占用面積之間所需的平衡。2 k4 x6 c! D, d. d0 u& t
    # L) t: }' Z  V4 x4 y" o  i
    通過應(yīng)用這些熱擴(kuò)展性原理并使用所提出的建模框架,設(shè)計(jì)人員可以為下一代數(shù)據(jù)中心應(yīng)用創(chuàng)建更高效、更可靠的光收發(fā)器。隨著繼續(xù)推動(dòng)數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度的邊界,這種熱感知設(shè)計(jì)方法對于光電共封裝的成功將變得越來越重要。7 K7 B$ f$ J% ^; o9 f$ V7 W# F

      I3 Z9 n# ^: T9 T, |/ ^; F% t% Q5 a
    6 t! \' f5 \+ J+ }% R; {5 [
    參考文獻(xiàn)4 g1 b- w; K* |6 d0 J" {4 `  [* M
    [1] D. Coenen et al., "Thermal Scaling Analysis of Large Hybrid Laser Arrays for Co-Packaged Optics," IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2024.- o' X0 H6 J+ L3 M; m- q0 d: y3 ]

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    . L& K) }+ n1 l# ?* l6 t轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!) p+ m' @5 I/ O7 Z- t7 {% A
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